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IRLML2060TRPBF中文资料

IRLML2060TRPBF图片

IRLML2060TRPBF外观图

  • 大小:204.6KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N CH, 60V, 1.2A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):356mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:1.2A; Power Dissipation Pd:1.25W; Voltage Vgs Max:16V
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:480 毫欧 @ 1.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:0.67nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:64pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1.25W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRLML2060TRPBFTR

IRLML2060TRPBF供应商

更新时间:2023-01-11 01:50:09
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